据台媒报导，南亚科总经理李培瑛于10日宣告，已完结自主研制10纳米级DRAM技能，将在本年下半年试产！
全球DRAM内存芯片首要把握在三星、SK海力士、美光三家公司中，他们的比例高达95%以上，要害原因就在于这三家的技能专利形成了极高的门槛，其他公司包围起来很难。
南亚科之前的内存也是来自美光授权，本年他们将转向自研的10nm级内存，未来将自产DDR4/LPDDR4/DDR5等内存颗粒。
在美光前两年全资收买华亚科之后，南亚科技变成了全球第四大内存厂，不过比例只要2%左右，并且技能来历也首要是美光授权，并且技能落后较多，在三星、美光、SK海力士转向1X、1Y、1Znm工艺之后，南亚的主力仍是30nm等，来自美光授权，这两年才搞定20nm内存，也是授权+协作研制的形式，南亚前次自己搞内存研制仍是99nm年代。
在10nm级内存芯片中，南亚决议自研了，现在10nm级前导产品估计会在本年下半年试产，最重要的包括8Gb中心的DDR4、LPDDR4及未来的DDR5，都可以由自研的技能渠道出产。
在处理10nm级内存工艺技能之后，南亚还会持续研制第二代10nm级工艺，估计2022年量产，还会开发第三代10nm级工艺。
